【東京八王子勤務】光通信用半導体のウェハプロセスエンジニア

事業内容

【外資系_化合物半導体電子部品企業】ニューヨーク市場上場

1996年に光通信モジュールメーカーとして設立。業界のアップダウンにも関わらず過去5年間で年平均成長率は約30％という高い成長を遂げ2011年2月にニューヨーク市場にて上場しました。



いわゆるPICと呼ばれる光集積回路をベースとした、大容量の帯域幅を必要とする高速光通信ネットワーク用モジュール、部品及びサブシステムのデザイン、製造における業界のリーダー的存在であり、製品トピックスとしては、世界市場で24万個導入しているPICモジュールが30億時間無故障と高い評価を得ています。各国にR&D・セールス拠点を持ち、従業員は2000名以上です。

勤務地

東京都八王子市

職務内容

◆InP光デバイス(半導体レーザ、ホトダイオード、光変調器)の生産技術。量産工程の改善、維持管理

◆新製品のためのウェハプロセス開発

を担当頂きます。

ネオフォトニクス・セミコンダクタでは高速光通信用光デバイスを開発しており、25～50Gbpsといった超高速光デバイスにおいては豊富な量産実績があります。光通信技術は目覚ましい発展を続けており、今後も更なる高速化や低消費電力化などが求められています。生産センタの一員として、これらの最先端デバイスの結晶成長、ウェハプロセス技術開発、量産工程管理業務に携わって頂きます。

◆上司や同僚のほとんどは日本人ですが、海外との英語でのコミュニケーションも発生します。

給与

年収 350万円 〜 750万円

雇用形態

正社員

応募条件

◆必須要件
・半導体結晶成長、ウェハプロセスの経験
・InP光デバイス(半導体レーザ、ホトダイオード、光変調器)の知識
・英語会話コミュニケーションに対して拒否感・抵抗感が無いこと（得意である必要は無い）
・日本語ネイティヴ以外の場合は、流暢な日本語コミュニケーションができることが必須



◆あればなお良い経験 、知識
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